～自1983年实现商业化以来40余年，为磁传感技术发展持续作出贡献～

东京2026年10月9日 美通社 －－ 旭化成微电子株式会社（总公司：日本东京、法定代表人总经理：栗田直幸、以下简称“AKM”）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式，以庆祝公司于1983年实现商业化的“薄膜霍尔元件商业化”项目获得IEEE里程碑认证，详情如下。

此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的结构等技术，实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件，并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就。

纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生、2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席。来自行政机构、学术界、IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动。

授予仪式由IEEE福冈分部主办，由福田先生向AKM总经理栗田颁发了认证铭牌。同时，纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会，介绍了IEEE里程碑的意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程。

旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示：

“此次AKM‘薄膜霍尔元件商业化’获得IEEE里程碑认证，我们深感荣幸。谨向为该技术的研发、量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的前人、员工及各位相关人士，致以衷心的感谢。实现商业化以来，我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件。此次在延冈获得认证，将成为激励我们不断前行的动力。今后，我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代，并通过传感技术持续创造新的价值。”

关于IEEE里程碑认证

IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度，用于表彰在电气、电子、信息等IEEE相关领域，对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就。对于获得认证的技术成就，IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌。

薄膜霍尔元件与磁传感器

霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件，是磁传感器的主要组成部分。由于能够以非接触方式检测电机的旋转、部件的位置以及电流等，因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备。

旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的结构等技术，实现了兼具高灵敏度与量产能力的薄膜霍尔元件“HW系列”的商业化。采用该系列产品的磁传感器被广泛应用于录像设备、存储设备、冷却风扇等各种产品，为设备的小型化和高性能化提供了支持。

基于该技术开发的霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗。同时，薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产，是一项扎根当地、历经40余年不断进化的技术。

※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一，致力于推动电气电子工程、通信、计算机与信息技术等领域的技术创新。拥有来自全球190个国家和地区的超过50万名会员。通过制定国际标准、出版学术论文、举办技术会议等方式，致力于推动科学技术发展并回馈社会。